学术报告:(1月8日)基于线形电子注的平面微型化与集成化太赫兹真空电子器件的研究

报告题目:基于线形电子注的平面微型化与集成化太赫兹真空电子器件的研究

报告时间:2019年1月8日下午3:00~4:30

报告地点:南校区广东省显示材料与技术重点实验室一楼讲学厅

特邀专家:阮存军教授     北京航空航天大学

主持人:佘峻聪教授

专家简介:

 

报告摘要:

基于线性电子注发展真空电子学太赫兹辐射源,面临工作频率与几何尺寸共度性效应限制,使得电子注电流密度大大增加,相应的行波与注波高频结构特征尺寸急剧减小,从而也导致产生太赫兹辐射的真空电子器件注波互作用效率和功率容量大大降低。为此,采用平面微型化的强流电子注(带状电子注和平面多注),基于微加工技术的平面微型化高频结构(折叠波导和交错双栅慢波结构、分布作用多间隙梯形谐振腔等)及其相应的注波互作用系统,进而发展出平面微型化及集成化的真空电子器件,是将线性注器件向太赫兹频段发展的重要研究方向。本报告介绍了国际上发展平面微型化真空电子器件及其功率放大器的研究工作进展与趋势,重点报道了本研究团队在大功率带状注速调管(SBK)、分布作用速调管(EIK)和宽频带交错双栅行波管(SDV-TWT)方面的探索性研究工作进展,可以在W波段和G波段获得峰值功率kW级以上的宽频带输出。同时,报告也介绍了将光子学、半导体电子学和真空电子学交叉与融合,发展基于线性电子注和微纳真空结构阵列的微型化与集成化半导体真空晶体管太赫兹辐射源的初步研究工作。

活动时间: 
星期二, 2019/01/08 - 3:00pm

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